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CHIP- Testbericht: Testbericht lesen (Test vom 04.12.2024)
Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ: Solid State Drive - intern Kapazität: 2 TB ...

Preisvergleich zu Samsung SSD 990 EVO Plus Festplatte, 2 TB M.2, intern (MZ-V9S2T0BW) von 28 Anbietern

Testergebnis für Samsung SSD 990 EVO Plus Festplatte, 2 TB M.2, intern (MZ-V9S2T0BW) von CHIP

Fazit des Tests vom 04.12.2024

Die Samsung 990 EVO Plus 2TB SSD zeigt im Test eine insgesamt noch recht gute Performance. Flott fallen die sequentiellen Datenraten beim Lesen mit 6.537 MByte/s und beim Schreiben mit 5.993 MByte/s aus. Hier liegt sie fast auf dem Niveau des Pro-Modells. Wer sie sehr stark belastet, wird beim Dauerschreiben nach rund 200 GByte aber regelmäßige starke Einbrüche bemerken. In jedem Fall ist die 900 EVO Plus schneller als die normale 990 EVO. Auffällig sind gegenüber der 990 Pro allerdings die signifikant niedrigeren IOPS-Werte in unserem sehr belastenden Testszenario, die zeigen, wie schnell die SSD reagieren und zufällige Daten bearbeiten kann. Diese Einbrüche sind der Last beim ununterbrochenen Datentransfer über lange Zeit zuzuschreiben. Bei normalem Alltags-Einsatz in einem Desktop-PC dürfte das nicht zu sehr ins Gewicht fallen. Samsung verwendet hier 3D-TLC-Speicherzellen, gewährt 5 Jahre Garantie und verspricht eine Langzeit-Belastbarkeit von 1200 TByte. Am PCIe-4.0-Port arbeitet die SSD mit vier Datenleitungen – an PCIe 5.0 nur mit zwei. Sie erhält durch den neuen Standard also keinen Geschwindigkeitsboost.

... Testbericht lesen

Samsung SSD 990 EVO Plus Festplatte, 2 TB M.2, intern (MZ-V9S2T0BW) Technische Daten

Allgemein
Gerätetyp Solid State Drive - intern
Kapazität 2 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite 22.15 mm
Tiefe 80.15 mm
Höhe 2.38 mm
Gewicht 9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write 1350000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read 1000000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF 1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch 4.6 Watt (Lesen) ¦ 4.2 Watt (Schreiben) ¦ 60 mW (Standby) ¦ 5 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen Samsung Magician Software
Weitere technische Daten
Verschiedenes
Gehäusematerial Nickelbeschichtung
Herstellergarantie
Service und Support Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 1200 TBW
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur 0 °C
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

EANs zu Samsung SSD 990 EVO Plus Festplatte, 2 TB M.2, intern (MZ-V9S2T0BW)

8806095575650